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回收珠海库存电子芯片

   日期:2020-12-18     浏览:0    
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回收珠海库存电子芯片
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当输入电压突然由+VF变为-VR时P区存储的电子和N区存储的空穴不会马上消失,但它们将通过下列两个途径逐渐减少:在反向电场作用下,P区电子被拉回N区,N区空穴被拉回P区,形成反向漂移电流IR,如下图所示;与多数载流子复合。在这些存储电荷消失之前,PN结仍处于正向偏置,即势垒区仍然很窄,PN结的电阻仍很小,与RL相比可以忽略,所以此时反向电流IR=(VR+VD)/RL。VD表示PN结两端的正向压降,一般VRVD,即IR=VR/RL。






















































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标签: 回收,珠海
 
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